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Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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SKU: 375968 | Marca: SAMSUNG | PN: MZ-VAP4T0BW
SKU:
375968
Marca:
Part Number:
MZ-VAP4T0BW
Código EAN:
8806095811703

Disponibilidad:
No disponible
Disponibilidad Tienda:
No disponible

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Lista de características:

  • Peso y dimensiones

    • Ancho: 80,2mm.
    • Profundidad: 2,38mm.
    • Altura: 22,1mm.
    • Peso: 9g.
  • Control de energía

    • Voltaje de operación: 3,3V.
    • Consumo eléctrico promedio (lectura): 9W.
    • Consumo eléctrico promedio (escritura): 8,2W.
  • Condiciones ambientales

    • Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70°C.
    • Golpes en funcionamiento: 1500G.
  • Empaquetado

    • Tipo de embalaje: Caja.
  • Otras características

    • Periodo de garantía: 5año(s).
  • Características

    • SDD, capacidad: 4TB.
    • Factor de forma de disco SSD: M.2.
    • Interfaz: PCI Express 5.0.
    • NVMe: Si.
    • Tipo de memoria: V-NAND TLC.
    • Componente para: PC/Consola de videojuegos.
    • Encriptación de hardware: Si.
    • Versión NVMe: 2.0.
    • Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES.
    • Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm).
    • Velocidad de lectura: 14800MB/s.
    • Velocidad de escritura: 13400MB/s.
    • Lectura aleatoria (4KB): 2200000IOPS.
    • Escritura aleatoria (4KB): 2600000IOPS.
    • Carriles datos de interfaz PCI Express: x4.
    • Función DevSleep: Si.
    • Soporte S.M.A.R.T.: Si.
    • Soporte TRIM: Si.
    • Tiempo medio entre fallos: 1500000h.
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